Mario Romero.- La competencia en el sector global de semiconductores de memoria atraviesa uno de los momentos más álgidos de su historia y en un escenario marcado por la escasez generalizada y las tensiones geopolíticas, las firmas chinas emergentes han pisado fuerte para recortar distancias con los gigantes de la industria.
El último gran golpe sobre la mesa lo ha dado ChangXin Memory Technologies (CXMT), el gigante chino de memorias, que ha reportado avances clave en el desarrollo de una nueva arquitectura de celdas capaz de disparar la densidad de almacenamiento.
Este movimiento estratégico no solo consolida a CXMT en el mapa tecnológico internacional, sino que pone en jaque directo el dominio histórico de los titanes surcoreanos Samsung Electronics y SK Hynix, que también compiten en esta misma carrera de innovación.
El presidente de CXMT, Cao Kanyu, reveló que la compañía planea lanzar al mercado un nuevo producto de memoria para servidores basado en esta innovadora estructura antes de que finalice 2026.
Para comprender la magnitud del reto, es necesario mirar la tecnología actual, pues las memorias de acceso aleatorio dinámico (DRAM) comerciales de uso masivo emplean una estructura de celdas cuadradas de 6F, donde F representa la anchura de línea mínima de un semiconductor.
El objetivo de la industria es migrar hacia el diseño «4F square», en el que cada celda ocupa un área de cuatro cuadrados F. Esto permite compactar una mayor cantidad de celdas en un solo chip, elevando exponencialmente la densidad de almacenamiento.
Sin embargo, dar este salto tecnológico no es sencillo ya que la transición del modelo horizontal tradicional al esquema vertical implica un cambio radical en los canales de los transistores.
Al ser incompatibles con los flujos de fabricación existentes, CXMT se vio en la obligación de rediseñar por completo los procesos clave para optimizar la relación entre rendimiento y consumo energético.
CÓMO SE MUEVE LA INDUSTRIA DE MEMORIA SURCOREANA
SK Hynix presentó su hoja de ruta para la tecnología 4F square en 2025, mientras que Samsung, según un reporte del medio surcoreano The Elec publicado en abril, proyecta iniciar la producción en masa de DRAM sub-10 nanómetros basadas en este diseño para 2028.
Además, CXMT aspira a lanzar al cierre de este año una nueva generación de módulos DDR5 RDIMM orientados a servidores de categoría empresarial.
A diferencia de los productos de consumo masivo, estos componentes exigen niveles extremos de resistencia y compatibilidad: deben soportar operaciones ininterrumpidas 24/7, tolerar fluctuaciones de voltaje y superar cientos de pruebas cruzadas con procesadores y placas base de distintos fabricantes.
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