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Si… Huawei logró fabricar su chip Kirin 9030 a 3nm y estas son las diferencias con Qualcomm Snapdragon 8 Gen 5

 

 

Mario Romero.- Si bien el fabricante chino Huawei ha mantenido una política bastante reservada en cuanto  a informar sobre sus procesadores Kirin usados en sus teléfonos de nueva generacion desde agosto de 2024, poco a poco ha transparentado en términos bastante escuetos los logros y sobre todo, la tecnología de ellos.

Hay que tener claro que Huawei ha comenzado a producir procesadores Kirin bajo proceso de 5 nm como el Kirin 9030 usado en los teléfonos Mate 80 lanzados a fines del año pasado, y su producción y fabricación es de responsabilidad de la empresa china SMIC.

SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation) es una empresa, donde los  principales accionistas son entidades vinculadas al gobierno chino, como la Comisión de Supervisión y Administración de Activos Estatales  y fondos nacionales de inversión en circuitos integrados.

DE 7 A 5NM … ASÍ SE HA LOGRADO

El Proceso «N+3» (DUV vs. EUV)

Para entender en contexto este logro para la industria china, y a diferencia de Samsung o TSMC, que utilizan máquinas de litografía EUV (Ultravioleta Extrema) más avanzadas y prohibidas para China, SMIC utiliza máquinas DUV (Ultravioleta Profunda) más antiguas.

Las máquinas EUV son fabricadas por la firma neerlandesa ASML y también tiene prohibición de venderlas a Huawei, SMIC u otra firma china y para logra alcanzar el proceso de fabricación de 5 nm con equipos DUV, aplican la luz múltiples veces sobre la misma capa del chip (técnicas como SAQP o cuádruple patrón) para «dibujar» transistores más pequeños de lo que la máquina permite originalmente. 

Al ser un proceso tan complejo, el porcentaje de chips útiles por oblea (plancha o lámina) es mucho menor y se estima que un 30% o 50%, comparado con el 80% de TSMC y fabricar estos chips puede ser hasta un 50% más caro que los métodos convencionales debido a la alta tasa de defectos.

Según los analistas e ingenieros de la firma de evaluación TechInsights confirman que el nodo N+3 de SMIC alcanza una densidad de transistores comparable a un nodo de 5 nm comercial, aunque su eficiencia energética todavía está un paso por detrás de los fabricantes como Qualcomm o MediaTek.
TABLA DE REFERENCIA KIRIN – HUAWEI / QUALCOMM SNAPDRAGON TSMC
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