Samsung Electronics ampliará su alianza en el suministro de flash NAND después de la asociación con Nvidia, con memorias DRAM, memorias de alto ancho de banda (HBM) y fundición (producción de consignación de semiconductores).
Se ha confirmado que Samsung ha comenzado la producción en masa de productos de décima generación mientras aumentaba la oferta de Nvidia.
La casa surcoreana, cuenta actualmente con una capacidad de producción de más de 100.000 VNAND por mes y está produciendo en masa V10, un producto de décima generación, para NVIDIA.
Para entender en contexto, V-NAND significa Vertical NAND (NAND Vertical) y es una tecnología de memoria flash (la que usan los discos duros SSD, tarjetas de memoria y smartphones) desarrollada principalmente por Samsung para superar los límites físicos de la memoria NAND tradicional.
Samsung asignó alrededor del 60% de la capacidad de producción de VNAND a V9 y lo elevó a la fuerza principal, pero hace un año, V8 representó una gran parte de la producción de VNAND.
Lee Jae-yong, presidente de Samsung Electronics, planea reunirse con Jensen Hwang, CEO de NVIDIA, para discutir la expansión de la cooperación y se menciona que el presidente Lee se reunirá de nuevo con el CEO Hwang y discutirá el suministro de productos NAND de próxima generación con HBM, así como los planes de cooperación sobre centros de datos que se construirán en Corea.
