Mario Romero.- El desarrollo reportado por China de su propia máquina de litografía ultravioleta extrema (EUV) para hacer semiconductores avanzados para inteligencia artificial y sistemas informáticos de alto rendimiento podría proporcionar un impulso «masivo» al país en su rivalidad tecnológica con Estados Unidos, según los analistas.
Tal como se ha informado, un grupo de científicos liderados por un ex ingeniero de ASML, lograron en un laboratorio de alta seguridad construir lo que EE.UU ha pasado años tratando de prevenir y es un prototipo de máquina de litografía EUV, según un informe de Reuters.
Fue construido por un equipo de antiguos ingenieros de la empresa neerlandesa ASML, el principal proveedor mundial de máquinas de fotolitografía que graban patrones de circuitos en obleas de silicio para crear chips.
Hicieron ingeniería inversa de la máquina EUV de ASML utilizando piezas de máquinas ASML más antiguas obtenidas en mercados secundarios, dijo el informe.
El posible avance de China demostraría que Beijing estaba más cerca de lograr su objetivo de autosuficiencia de semiconductores años antes de lo que Occidente había anticipado.
Si bien el prototipo de máquina EUV de China aún no había producido chips de trabajo, el gobierno se ha fijado el objetivo de fabricar circuitos integrados avanzados en ese equipo para 2028.
Los sistemas EUV son indispensables para la producción de chips potentes en los nodos de proceso inferiores de 3 nanométricos. Cuanto más pequeños son los circuitos producidos, más potentes son los chips.
ASML sigue siendo el único proveedor de equipos de fabricación de chips para diseñar, fabricar y vender máquinas de litografía EUV, pero las sanciones lideradas por Estados Unidos han prohibido a la compañía vender esas máquinas a China desde 2019.
Aún considerando si China fuera capaz de producir algo de luz EUV [a partir de su prototipo], convertir esto en un proceso de fabricación económicamente viable podría llevar años, si no décadas», escribió el analista de Morningstar Javier Correonero en una nota de investigación el jueves.
Según un documento de investigación publicado en marzo, el ex científico jefe de ASML, Lin Nan, dirigió a un grupo de ingenieros en el desarrollo de una plataforma de fuentes de luz EUV que opera en parámetros internacionalmente competitivos, lo que ofreció esperanza a la producción nacional de circuitos integrados avanzados.
Lin fue uno de los ingenieros involucrados en la construcción del prototipo de máquina EUV en Shenzhen, según el informe de Reuters.
El fabricante chino de sistemas de litografía Shanghai Micro Electronics Equipment, según una patente presentada en marzo de 2023, también había avanzado en generadores de radiación EUV y equipos de litografía.
China logra satisfacer alrededor del 2 por ciento de la demanda interna de herramientas de control de procesos en la fabricación de chips de proveedores locales, según datos de TechInsights. Ese porcentaje en el lado de la litografía fue de alrededor del 1,5 por ciento, y alrededor del 10 por ciento en todo el sector de equipos de fabricación de obleas.
Aparte de la litografía, China aún no ha logrado la autosuficiencia en segmentos que incluyen la metrología y la inspección, que son procesos esenciales para el control de calidad, la medición de las dimensiones del producto y la mejora del rendimiento y la rentabilidad de la fabricación, según Boris Metodiev, quien dirige el equipo de análisis de fabricación en TechInsights.
El desarrollo de sistemas EUV en Shenzhen «no significa que China tenga una herramienta lista para el volumen que pueda producir chips de 2 nm y menos..para aumentar el rendimiento y el rendimiento, se necesitarían miles o millones de horas de retroalimentación para ejecutar la herramienta».
Mientras tanto, China también está explorando formas de utilizar la tecnología ultravioleta profunda (DUV) para eludir efectivamente las restricciones al EUV.
El fabricante Huawei había intentado utilizar máquinas DUV más antiguas y la técnica de patrón cuádruple autoalineado para alcanzar un rendimiento de clase de 2 nm, según una patente presentada en 2022.
