Mario Romero.- Un reporte de Fast Technology ha entregado importantes noticias sobre los procesadores Kirin, información que por cierto, debe tomarse con cierta reticencia.
Se menciona que SMIC había logrado, luego de extensos procesos de prueba, avanzar en la fabricación de nuevos procesadores Kirin bajo el proceso N+3 decir, 12,5 mil millones de transistores por milímetro cuadrado, cuya densidad está entre el N6 de TSMC (113MTr/mm) y el proceso de 5 nm (127MTr/mm) de Samsung, que es equivalente al nivel de proceso de 5,5 nm de TSMC.
Si el proceso de 14 nm se utiliza como punto base (la densidad es de aproximadamente 35MTr/mm), el aumento de densidad de N+3 supera el 250 %, lo que marca la capacidad de optimización continua de SMIC en la arquitectura FinFET.
Aunque el nombre de N+3 recuerda fácilmente a «5nm equivalente», su rendimiento real y consumo de energía se comparan con el proceso N7P (versión mejorada de 7 nm) y N6 de TSMC.
Esto significa que con el mismo número de transistores, la eficiencia energética N+3 de SMIC puede estar por detrás del proceso N5/N4 de TSMC en aproximadamente un 15%-20%, lo que está limitado principalmente por la falta de complejidad del proceso causada por la escasez de máquinas de litografía EUV.
Sin embargo, para los chips «creados en China» que han dependido durante mucho tiempo de procesos maduros, este progreso es suficiente para romper una serie de cuellos de botella técnicos.
Anteriormente, algunos expertos de la industria dijeron que si el chip HiSilicon Kirin de Huawei adopta el proceso N+3, se espera que su rendimiento esté cerca del nivel de Snapdragon 888, que es suficiente para apoyar la demanda del mercado de telefonía móvil de gama media a alta.
Algunos expertos de la industria especulan que el Kirin 9300 puede estar equipado con este proceso.
